AG庄闲和游戏 性能擢升2.69倍! SK海力士已进行HBM、HBF搀杂架构仿真测试
2026-02-15SK海力士在答复中指出，新架构非常合乎东谈主工智能推理。 SK海力士发布了一种以高带宽闪存（HBF）为中枢的新式半导体架构见地。HBF是一种堆叠多个NAND闪存芯片的存储时间。据韩京新闻报谈，该公司最近在电气电子工程师协会（IEEE）上发表的一篇论文中详备讲演了这又名为“H3”的见地。H3指的是一种搀杂架构，它将HBM和HBF集成到单一遐想中。 正如答复指出的那样，H3 架构将 HBM 和 HBF 王人搁置在追究考虑的 GPU 傍边，而现时的 AI 芯片（包括 NVIDIA 考虑于本年下半年发
IT之家 2 月 13 日音问，韩国两大存储厂商 SK 海力士与电子计议在 2026 年海外固态电路会议（ISSCC 2026）上展示下一代 LPDDR6 低功耗内存决议。 凭证已公布信息，SK 海力士将推出 16Gb 的 LPDDR6 模组，单引脚传输速度达 14.4Gbps；三星则将展示 16Gb、12.8Gbps 的 LPDDR6 居品，较其在 CES 2026 上公布的 10.7Gbps 版块进一步教育。 IT之家注：ISSCC 2026 将于 2 月 15 日至 19 日在好意思国旧
凤凰彩票app下载 韩国SK集团董事长密围聚晤硅谷巨头，布局AI半导体生态
2026-02-14韩国 SK 集团董事长崔泰源在好意思国硅谷商务出差技艺，继会见英伟达之后，又与多家民众大型科技公司 CEO 进行了会晤，包括谷歌、微软、博通和 Meta 等。 把柄 SK 海力士新闻室 13 日的音信，崔董事长自本月初访好意思以来，先后会见了英伟达 CEO 黄仁勋、博通 CEO 陈福阳、微软 CEO 萨蒂亚 · 纳德拉、Meta CEO 马克 · 扎克伯格以及谷歌 CEO 桑达尔 · 皮查伊。 此举被解读为通过 SK 集团的 AI 整合惩办有盘算，与下一代 AI 半导体和数据中心张开和谐，从而
开云app下载 SK海力士发表HBF与HBM搀杂架构 性能普及高达2.69倍
2026-02-13{jz:field.toptypename/} 《科创板日报》12日讯，SK海力士近日通过发表在IEEE（电气与电子工程师协会）人人半导体大会上的论文，提议了一种新式半导体结构。该结构接受了HBM和HBF两种本事，公司将8个HBM3E和8个HBF置于Blackwell旁进行施行，效力标明，与单独使用HBM比拟，这种建立不错将每瓦筹算性能普及高达2.69倍。 (韩国经济日报)
新 闻一： 三星、SK海力士和好意思光严控存储芯片订单：贯注客户逾额订购或过度囤积 据TomsHardware报说念，、SK海力士和好意思光齐在存储芯片订片面变得愈加严格。有业内东说念主士骄傲，三大原厂将进行更严格的尽责访问，包括证实终局用户身份和订购数目，致使筹商需求是否真确。因为有客户会逾额预订大约囤积越过需求的部分，这将对背面的市集走势产生影响。 三大原厂的这些措施齐是在存储芯片供应垂危的情况下进行的，况兼AI芯片占据了重大的需求，其中部分本来是要留给铺张级居品。现时东说念主工智能基础方
金沙电玩 SK海力士LPDDR6内存直奔14.4Gbps！三星已迈向LPDDR6X
2026-02-13快科技2月13日音讯，新一代LPDDR6内存程序照旧发布半年，家具也在逐步落地，大容量、高频率成为必选，甚而是升级版LPDDR6X也快来了。 SK海力士将在本月15-19日旧金山举办的ISSCC 2026大会上公布其LPDDR6内存的细节，单颗容量16Gb(2GB)，等效数据传输率高达14.4Gbps。 LPDDR6程序并未明确限定数据传输率，但据信最高即是14.4Gbps，也在野这个标的悉力。 SK海力士将接受1c DRAM工艺，也即是10nm级别的最终进化版。 同期，三星照旧将LPDDR6
开云 SK海力士将斥资130亿美元在韩国建芯片封装厂
2026-02-06作为英伟达高带宽存储（HBM）产品的主要供应商，SK海力士（SK Hynix）计划斥资130亿美元在韩国建造一座芯片封装厂，以应对人工智能芯片需求的激增。 这家韩国存储芯片制造商周二表示，将斥资19万亿韩元在首尔以南的清州建造一座先进的AI芯片封装和测试工厂。 该新工厂定于4月开工建设，预计2027年底完工，将增加SK海力士在韩国的芯片封装产能。该公司也在美国建设工厂。 根据该公司发布的一份声明，在AI存储需求激增之际，SK海力士“正积极应对日益增长的HBM需求“。该公司表示，预计从2025年
米兰 最高可达近50%，三星、SK海力士有望双双录得10年来最高利润率
2026-02-05IT之家 2 月 4 日消息，据韩媒 ZDNet 今日报道，电子和 SK 海力士今年上半年仍将大幅上调 NAND 闪存价格，业内认为，两家公司的 NAND 利润率有望冲到 40%~50%。市场甚至期待，自 2017 年存储器超级周期之后，时隔近 10 年，NAND 产品可能迎来历史最高的盈利水平。 据业内 4 日消息，三星和 SK 海力士今年上半年 NAND 利润率预计将接近 40%~50%。 数据显示，两家公司去年第四季度的 NAND 利润率已回升到 20% 左右。其中，由于 QLC 产品占
{jz:field.toptypename/} 盖世汽车讯 2026 年 1 月 28 日，韩国 8 英寸纯晶圆代工厂 SK Keyfoundry 宣布推出第四代 200V 高压 0.18 微米 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺，并将与韩国国内及国外主要客户开展全面产品开发，目标是在年内实现量产。
开云app下载 消息称三星、SK海力士和美光严控存储芯片订单，应对供应紧张
2026-02-03IT 之家 1 月 31 日消息，据《日本经济新闻》本周（1 月 27 日）报道，三星、SK 海力士和美光这三大 DRAM 芯片制造商正在收紧存储芯片订单管理。 ▲ 图源：SK 海力士 消息人士透露，这三家公司将采取更严格的尽职调查措施，确认最终用户身份、订单数量，甚至会询问其是否真实存在需求，防止超额订购或过度囤积。采取这些措施的主要目的是当前内存芯片供应依然紧张，而 AI 巨头对 HBM（IT 之家注：高带宽内存）芯片的巨大需求挤占了原本的消费级产能。 据悉，全球内存芯片短缺的主要原因是
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